Dual-Inline-Memory-Modules,即双列直插式存储模块。这是在奔腾CPU推出后出现的新型内存条，DIMM提供了64位的数据通道，因此它在奔腾主板上可以单条使用。它有168条引脚，故称为168线内存条。它要比SIMM插槽要长一些，并且它也支持新型的168线EDO-DRAM存储器。就目前而言，适用DIMM的内存芯片的工作电压一般为3.3V(使用EDORAM内存芯片的168线内存条除外)，适用于SIMM的内存芯片的工作电压一般为5V(使用EDORAM或FBRAM内存芯片)，二者不能混合使用。
DIMM与SIMM比较
DIMM(Dual Inline Memory Module，双列直插内存模块)与SIMM(single in-line memory module，单边接触内存模组)相当类似，不同的只是DIMM的金手指两端不像SIMM那样是互通的，它们各自独立传输信号，因此可以满足更多数据信号的传送需要。同样采用DIMM，SDRAM 的接口与DDR内存的接口也略有不同，SDRAM DIMM为168Pin DIMM结构，金手指每面为84Pin，金手指上有两个卡口，用来避免插入插槽时，错误将内存反向插入而导致烧毁;DDR DIMM则采用184Pin DIMM结构，金手指每面有92Pin，金手指上只有一个卡口。卡口数量的不同，是二者最为明显的区别。DDR2 DIMM为240pin DIMM结构，金手指每面有120Pin，与DDR DIMM一样金手指上也只有一个卡口，但是卡口的位置与DDR DIMM稍微有一些不同，因此DDR内存是插不进DDR2 DIMM的，同理DDR2内存也是插不进DDR DIMM的，因此在一些同时具有DDR DIMM和DDR2 DIMM的主板上，不会出现将内存插错插槽的问题。
FB-DIMM
因为目前的内存主要是采用传统的64位并行设计，即北桥芯片的内存控制器与内存模块之间均通过64位的并行总线来数据交换，但此类并行总线设计有一个最大的缺点：就是相邻线路很容易受到干扰。这是因为目前的DIMM采用一种“短线连接”(Stub-bus)的拓扑结构。在这种结构中，每个芯片与内存控制器的数据总线都有一个短小的线路相连，这样会造成电阻抗的不连续性，从而影响信号的稳定与完整，频率越高或芯片颗粒越多，影响也就越大。这也是目前基于此类并行体系的内存如DDR频率低下的原因。Small Outline Dual Inline Memory Module(缩写SODIMM):小外形双列直插式内存模块
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