Intel 3D XPoint闪存终于揭秘了：20nm制程工艺
Intel、美光发布3D XPoint闪存已经一年多了，号称性能、可靠性是NAND闪存1000倍，容量密度是后者10倍，各种黑科技秒杀当前闪存水平。从去年底开始有少量基于3D XPoint闪存Optane硬盘问世，消费级容量是16/32GB，企业级有个375GBDC P4800X系列，随机性能确实很强大。
不过Intel迄今为止都没有公布过3D XPoint闪存技术内幕，好在现在可以确定一点了，那就是375GBDC P4800X硬盘使用是20nm工艺。
Intel当年发布3D XPoint闪存之后并没有透露该技术细节，只说它是不同于NAND闪存新型存储技术，性能、可靠性及密度全面领先当前NAND产品。Intel不公开技术内幕大概是为了保密，业界早前也在猜测3D XPpint闪存有可能是基于PCM相变技术，也有说是ReRAM技术，只是这些都无法证实。
现在Computerbase网站论坛有人爆料了DC P4800X硬盘PCN通知书，里面提到了它是基于20nm工艺，只是Intel以往PCN通知都是公开，但这次需要授权用户登录才能看到，所以普通人也无法查阅具体细节了。
Intel使用20nm工艺制造3D XPoint闪存也不算意外，虽然在进入3D闪存之后厂商就很少公布具体制程工艺了，大多时候只公布堆栈层数，不过大部分3D闪存使用制程工艺都不会很先进，三星早期V-NAND闪存使用还是40nm工艺，几年前制程工艺了，听上去落后，但实际上是好事，因为提升密度可以靠对堆栈层数，更“落后”工艺往往有更好可靠性。
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RTX 5090要首发 性能要翻倍！三星展示GDDR7显存
三星在GTC上展示了专为下一代游戏GPU设计的GDDR7内存。
首次推出的GDDR7内存模块密度为16GB，每个模块容量为2GB。其速度预设为32 Gbps（PAM3），但也可以降至28 Gbps，以提高产量和初始阶段的整体性能和成本效益。
据三星表示，GDDR7内存的能效将提高20%，同时工作电压仅为1.1V，低于标准的1.2V。通过采用更新的封装材料和优化的电路设计，使得在高速运行时的发热量降低，GDDR7的热阻比GDDR6降低了70%。